Disco duro interno solido ssd samsung 9100 pro mz - vap2t0cw 2tb pcie 5.0

Caracteristicas del Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 2TB br/ El **Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0** es un SSD interno de alto rendimiento disenado para usuarios que demandan la maxima velocidad, eficiencia termica y fiabilidad. Gracias a su interfaz **PCIe 5.0 x4** y tecnologia **Samsung V-NAND TLC**, es ideal tanto para entornos profesionales como para gaming exigente, estaciones de trabajo o creadores de contenido que requieren tiempos de carga ultrarrapidos y transferencia intensiva de datos. br/ Velocidad extrema con PCIe 5.0 y NVMe 2.0 br/ Este modelo ofrece una de las tasas de transferencia mas altas del mercado, gracias a su interfaz **PCIe 5.0** compatible con **NVMe 2.0**, permitiendo flujos de trabajo mas agiles y eficientes. Ya sea para ejecutar software pesado o transferir grandes volumenes de archivos, el rendimiento esta garantizado. br/ br/ Lectura secuencial: hasta 14.700 MB/s br/ Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s br/ IOPS lectura/escritura aleatoria 4K: hasta 1.850.000 / 2.600.000 br/ br/ Diseno termico eficiente y durabilidad avanzada br/ Incluye un **disipador termico integrado** que mantiene temperaturas optimas incluso bajo cargas intensas, prolongando la vida util del dispositivo y evitando caidas de rendimiento. Ademas, su resistencia de escritura es de **hasta 1200 TBW**, lo que lo hace ideal para un uso intensivo prolongado. br/ br/ Disipador termico metalico incorporado br/ Resistencia de escritura: 1200 TBW br/ MTBF: 1.500.000 horas br/ br/ Seguridad avanzada y software de gestion br/ El Samsung 9100 PRO incluye **cifrado AES de 256 bits** y cumple con el estandar **IEEE 1667**, asegurando que tus datos esten siempre protegidos. Ademas, con el software **Samsung Magician**, puedes monitorizar el estado del SSD, actualizar firmware y optimizar el rendimiento en tiempo real. br/ br/ Cifrado por hardware: AES 256 bits br/ Compatibilidad con TRIM, S.M.A.R.T. y Device Sleep br/ Software incluido: Samsung Magician br/ br/ Formato compacto y eficiencia energetica br/ Con factor de forma **M.2 2280**, es compatible con una amplia gama de placas base modernas. Su consumo energetico es notablemente eficiente para su nivel de prestaciones, incluyendo un modo de bajo consumo para reposo y estado dormido. br/ br/ Factor de forma: M.2 2280 br/ Consumo: 8.1 W (lectura), 7.9 W (escritura), 4.8 W (en espera), 4 mW (modo dormido) br/ Dimensiones: 81.3 x 22.9 x 8.89 mm | Peso: 31.8 g br/ br/ Otras especificaciones br/ br/ Tipo de memoria: NAND TLC (Triple-Level Cell) br/ Temperatura operativa: de 0 °C a 70 °C br/ Tolerancia a golpes (no operativo): hasta 1500 g br/ Cumplimiento de normativas: IEEE 1667 br/ Incluye caja para colgar en retail br/ br/